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關(guān)于線圈法磁化的有效磁化區(qū)
日期：2024-12-27 08:09
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摘要：關(guān)于線圈法磁化的有效磁化區(qū)
關(guān)于線圈法磁化的有效磁化區(qū)介紹，JB/T 4730-4-2005規(guī)定:“線圈法產(chǎn)生的磁場平行于線圈的軸線。線圈法的有效磁化區(qū)是從線圈端部向外延伸到150 mm的范圍內(nèi).超過150 mm以外的區(qū)域，磁化強(qiáng)度應(yīng)采用標(biāo)準(zhǔn)試片確定,”沒有區(qū)分高、低充填因數(shù)線圈的區(qū)別。延伸方向也比美國標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的9 in(229 mm)要小得多。
ASME V (2004版)規(guī)定:“如果磁化范圍擴(kuò)大到超過線圈任一邊9 in (229 mm) 時(shí)。其合適的磁場應(yīng)采用磁場指示器或人工探傷試片來確定。”
ASTM E1444 2001規(guī)定:“對于低充填因數(shù)線圈，從線圈中心...
關(guān)于線圈法磁化的有效磁化區(qū)
關(guān)于線圈法磁化的有效磁化區(qū)介紹，JB/T 4730-4-2005規(guī)定:“線圈法產(chǎn)生的磁場平行于線圈的軸線。線圈法的有效磁化區(qū)是從線圈端部向外延伸到150 mm的范圍內(nèi).超過150 mm以外的區(qū)域，磁化強(qiáng)度應(yīng)采用標(biāo)準(zhǔn)試片確定,”沒有區(qū)分高、低充填因數(shù)線圈的區(qū)別。延伸方向也比美國標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的9 in(229 mm)要小得多。
ASME V (2004版)規(guī)定:“如果磁化范圍擴(kuò)大到超過線圈任一邊9 in (229 mm) 時(shí)。其合適的磁場應(yīng)采用磁場指示器或人工探傷試片來確定。”
ASTM E1444 2001規(guī)定:“對于低充填因數(shù)線圈，從線圈中心向兩側(cè)分別延伸線圈半徑R為有效磁化區(qū);對高充填因數(shù)線圈或繞電纜法，從線圈中心向兩側(cè)分別延伸9 in(229 mni)。關(guān)于線圈法磁化的有效磁化區(qū)”
關(guān)于線圈法磁化的有效磁化區(qū)介紹，JB/T 4730-4-2005規(guī)定:“線圈法產(chǎn)生的磁場平行于線圈的軸線。線圈法的有效磁化區(qū)是從線圈端部向外延伸到150 mm的范圍內(nèi).超過150 mm以外的區(qū)域，磁化強(qiáng)度應(yīng)采用標(biāo)準(zhǔn)試片確定,”沒有區(qū)分高、低充填因數(shù)線圈的區(qū)別。延伸方向也比美國標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的9 in(229 mm)要小得多。
ASME V (2004版)規(guī)定:“如果磁化范圍擴(kuò)大到超過線圈任一邊9 in (229 mm) 時(shí)。其合適的磁場應(yīng)采用磁場指示器或人工探傷試片來確定。”
ASTM E1444 2001規(guī)定:“對于低充填因數(shù)線圈，從線圈中心向兩側(cè)分別延伸線圈半徑R為有效磁化區(qū);對高充填因數(shù)線圈或繞電纜法，從線圈中心向兩側(cè)分別延伸9 in(229 mni)。關(guān)于線圈法磁化的有效磁化區(qū)”